參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V639S12BCI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 128K X 18 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256
封裝： 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
文件頁(yè)數(shù)： 8/23頁(yè)
文件大?。?/td> 187K
代理商： IDT70V639S12BCI
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
8
'1A'1
&,023+
3
: % 3B63"
NOTE:
1. At V
DD
< - 2.0V input leakages are undefined.
2. V
DDQ
is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to p.5 for details.
Symbol
Parameter
Test Conditions
70V639S
Unit
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
DDQ
= Max., V
IN
= 0V to V
DDQ
___
10
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
CE
0
= V
IH
or CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V to V
DDQ
___
10
μA
V
OL
(3.3V)
Output Low Voltage
(2)
I
OL
= +4mA, V
DDQ
= Min.
___
0.4
V
V
OH
(3.3V)
Output High Voltage
(2)
I
OH
= -4mA, V
DDQ
= Min.
2.4
___
V
V
OL
(2.5V)
Output Low Voltage
(2)
I
OL
= +2mA, V
DDQ
= Min.
___
0.4
V
V
OH
(2.5V)
Output High Voltage
(2)
I
OH
= -2mA, V
DDQ
= Min.
2.0
___
V
5621 tbl 09
'1A'1
&,023+
"
3
: % 3B63"
NOTES:
1. At f = f
MAX
, address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency read cycle of 1/t
RC
, using "AC TEST CONDITIONS" at input
levels of GND to 3V.
2. f = 0 means no address or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite fromport "A".
4. V
DD
= 3.3V, T
A
= 25
°
C for Typ, and are not production tested. I
DD DC
(f=0)
= 120mA (Typ).
5.
CE
X
= V
IL
means
CE
0X
= V
IL
and CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
means
CE
0X
= V
IH
or CE
1X
= V
IL
CE
X
< 0.2V means
CE
0X
< 0.2V and CE
1X
> V
CC
- 0.2V
CE
X
> V
CC
- 0.2V means
CE
0X
> V
CC
- 0.2V or CE
1X
- 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
70V639S10
Com'l Only
70V639S12
Com'l
& Ind
70V639S15
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Unit
I
DD
Dynamc Operating
Current (Both
Ports Active)
CE
L
and
CE
R
= V
IL
,
Outputs Disabled,
f = f
MAX
(1)
COML
S
340
500
315
465
300
440
mA
IND
S
____
____
365
515
350
490
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
MAX
(1)
COML
S
115
165
90
125
75
100
mA
IND
S
____
____
115
150
100
125
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f
MAX
(1)
COML
S
225
340
200
325
175
315
mA
IND
S
____
____
225
365
200
350
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports - CMOS
Level Inputs)
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
DD
- 0.2V, V
IN
> V
DD
- 0.2V
or V
IN
< 0.2V, f = 0
(2)
COML
S
3
15
3
15
3
15
mA
IND
S
____
____
6
15
6
15
I
SB4
Full Standby Current
(One Port - CMOS
Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
DD
- 0.2V
(5)
V
IN
> V
DD
- 0.2V or V
IN
< 0.2V, Active
Port, Outputs Disabled, f = f
MAX
(1)
COML
S
220
335
195
320
170
310
mA
IND
S
____
____
220
360
195
345
5621 tbl 10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V639S12BF HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S12BFI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S12PRF HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S12PRFI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S15BC HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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