參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V639S10BFI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 高速3.3 128K的× 18 ASYNCHRONO美國(guó)雙端口靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 13/23頁(yè)
文件大?。?/td> 187K
代理商： IDT70V639S10BFI
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
13
&.A0'+,.&'0,
"
NOTES:
1. D
OR
= D
OL
= V
IL
,
CE
L
=
CE
R
= V
IH
. Refer also to Truth Table II for appropriate
UB
/
LB
controls.
2. All timng is the same for left and right ports. Port "A" may be either left or right port. "B" is the opposite fromport "A".
3. This parameter is measured fromR/
W
"A"
or
SEM
"A"
going HIGH to R/
W
"B"
or
SEM
"B"
going HIGH.
4. If t
SPS
is not satisfied,the semaphore will fall positively to one side or the other, but there is no guarantee which side will be granted the semaphore flag.
&.A0'.
!"
NOTES:
1.
CE
= V
IH
or
UB
and
LB
= V
IH
for the duration of the above timng (both write and read cycle) (Refer to Chip Enable Truth Table). Refer also to Truth Table II for appropriate
UB
/
LB
controls.
2. "DATA
OUT
VALID" represents all I/O's (I/O
0
- I/O
17
) equal to the semaphore value.
SEM
/
UB
/
LB
(1)
5621 drw 10
t
AW
t
EW
I/O
VALID ADDRESS
t
SAA
R/
W
t
WR
t
OH
t
ACE
VALID ADDRESS
DATA
VALID
IN
DATA
OUT
VALID
(2)
t
DW
t
WP
t
DH
t
AS
t
SWRD
t
AOE
Read Cycle
Write Cycle
A
0
-A
2
OE
t
SOP
t
SOP
SEM
"A"
5621 drw 11
t
SPS
MATCH
R/
W
"A"
MATCH
A
0"A"
-A
2"A"
SIDE
"A"
(2)
SEM
"B"
R/
W
"B"
A
0"B"
-A
2"B"
SIDE
"B"
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V639S10PRF HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S10PRFI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S12BC HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S12BCI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S12BF HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IDT70V639S10PRFG 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 10NS 128TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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IDT70V639S12BC 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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