- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377287 > IDT70V639S10BC (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V639S10BC |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K X 18 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA256 |
| 封裝： | 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 |
| 文件頁數(shù)： | 13/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 187K |
| 代理商： | IDT70V639S10BC |
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
13
&.A0'+,.&'0,
"
NOTES:
1. D
OR
= D
OL
= V
IL
,
CE
L
=
CE
R
= V
IH
. Refer also to Truth Table II for appropriate
UB
/
LB
controls.
2. All timng is the same for left and right ports. Port "A" may be either left or right port. "B" is the opposite fromport "A".
3. This parameter is measured fromR/
W
"A"
or
SEM
"A"
going HIGH to R/
W
"B"
or
SEM
"B"
going HIGH.
4. If t
SPS
is not satisfied,the semaphore will fall positively to one side or the other, but there is no guarantee which side will be granted the semaphore flag.
&.A0'.
!"
NOTES:
1.
CE
= V
IH
or
UB
and
LB
= V
IH
for the duration of the above timng (both write and read cycle) (Refer to Chip Enable Truth Table). Refer also to Truth Table II for appropriate
UB
/
LB
controls.
2. "DATA
OUT
VALID" represents all I/O's (I/O
0
- I/O
17
) equal to the semaphore value.
SEM
/
UB
/
LB
(1)
5621 drw 10
t
AW
t
EW
I/O
VALID ADDRESS
t
SAA
R/
W
t
WR
t
OH
t
ACE
VALID ADDRESS
DATA
VALID
IN
DATA
OUT
VALID
(2)
t
DW
t
WP
t
DH
t
AS
t
SWRD
t
AOE
Read Cycle
Write Cycle
A
0
-A
2
OE
t
SOP
t
SOP
SEM
"A"
5621 drw 11
t
SPS
MATCH
R/
W
"A"
MATCH
A
0"A"
-A
2"A"
SIDE
"A"
(2)
SEM
"B"
R/
W
"B"
A
0"B"
-A
2"B"
SIDE
"B"
(2)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V639S10BCI | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S10BF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S10BFI | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S10PRF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S10PRFI | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V639S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V639S10BF | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V639S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V639S10PRF | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 10NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V639S10PRF8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 10NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。