參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V5378S166BGI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 3.3V 64/32K X 18 SYNCHRONOUS FOURPORT STATIC RAM
中文描述： 32K X 18 FOUR-PORT SRAM, 3.2 ns, PBGA272
封裝： 27 X 27 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-272
文件頁(yè)數(shù)： 2/15頁(yè)
文件大?。?/td> 190K
代理商： IDT70V5378S166BGI
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
10
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read (OE = VIL)(3)
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read (OE Controlled)(3)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
3.
CE0, UB, LB, and ADS = VIL; CE1, CNTEN, and CNTRST = VIH. "NOP" is "No Operation".
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = VIL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for
reference use only.
5. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
R/W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
DATAIN
Dn + 2
CE0
CLK
4857 drw 10
Qn
Qn + 3
DATAOUT
CE1
UB, LB
tCD2
tCKHZ
tCKLZ
tCD2
tSC
tHC
tSB
tHB
tSW tHW
tSA
tHA
tCH2
tCL2
tCYC2
READ
NOP
READ
tSD tHD
(4)
(2)
(1)
tSW tHW
WRITE
(5)
R/W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
DATAIN
Dn + 3
Dn + 2
CE0
CLK
4857 drw 11
DATAOUT
Qn
Qn + 4
CE1
UB, LB
OE
tCH2
tCL2
tCYC2
tCKLZ(1)
tCD2
tOHZ(1)
tCD2
tSD tHD
READ
WRITE
READ
tSC
tHC
tSB
tHB
tSW tHW
tSA
tHA
(4)
(2)
tSW tHW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V5378S200BCI 3.3V 64/32K X 18 SYNCHRONOUS FOURPORT STATIC RAM
IDT70V5378S200BG 3.3V 64/32K X 18 SYNCHRONOUS FOURPORT STATIC RAM
IDT70V5378S200BGI 3.3V 64/32K X 18 SYNCHRONOUS FOURPORT STATIC RAM
IDT70V5388 3.3V 64/32K X 18 SYNCHRONOUS FOURPORT STATIC RAM
IDT70V5388S100BC Proximity Sensor; Sensor Input Type:Optical; Sensing Range Max:150mm; Leaded Process Compatible:No; Output Type:NPN; Peak Reflow Compatible (260 C):No
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參數(shù)描述
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IDT70V5378S200BC 功能描述:IC SRAM 576KBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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