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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V3569S4BC |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 16K X 36 DUAL-PORT SRAM, 4.2 ns, PBGA256 |
| 封裝： | BGA-256 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/16頁(yè) |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | IDT70V3569S4BC |
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6.42
IDT70V3569S
High-Speed 16K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
-'/8'/
&*012
2
9!%!2:52#
NOTE:
1. At V
DD
< - 2.0V input leakages are undefined.
2. V
DDQ
is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to p.4 for details.
Symbol
Parameter
Test Conditions
70V3569S
Unit
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
DDQ
= Max., V
IN
= 0V to V
DDQ
___
10
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
CE
0
= V
IH
or CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V to V
DDQ
___
10
μA
V
OL
(3.3V)
Output Low Voltage
(2)
I
OL
= +4mA, V
DDQ
= Mn.
___
0.4
V
V
OH
(3.3V)
Output High Voltage
(2)
I
OH
= -4mA, V
DDQ
= Mn.
2.4
___
V
V
OL
(2.5V)
Output Low Voltage
(2)
I
OL
= +2mA, V
DDQ
= Mn.
___
0.4
V
V
OH
(2.5V)
Output High Voltage
(2)
I
OH
= -2mA, V
DDQ
= Mn.
2.0
___
V
4831 tbl 08
NOTES:
1. These parameters are determned by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from0V to 3V or from3V to 0V.
3. C
OUT
also references C
I/O
.
#
&
9;5< 9%6=
>
#4/.
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
8
pF
C
OUT
(3)
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10.5
pF
4831 tbl 07
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3569S4BCI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3569S4BF | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3569S4BFI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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