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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V3319S133BFI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 256K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA208 |
| 封裝： | 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | IDT70V3319S133BFI |
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6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
6
AC Test Conditions
Figure 1. AC Output Test load.
Figure 2. Output Test Load
(For tCKLZ, tCKHZ, tOLZ, and tOHZ).
*Including scope and jig.
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
4857 drw 04
590
30pF
435
3.3V
DATAOUT
590
5pF*
435
3.3V
DATAOUT
4857 drw 03
1
2
3
4
5
6
7
8
20 40
100
60 80
120 140 160 180 200
tCD1
,
tCD2
(Typical, ns)
Capacitance (pF)
4857 drw 05
-1
0
- 10pF is the I/O capacitance
of this device, and 30pF is the
AC Test Load Capacitance
.
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
Figures 1, 2, and 3
4857 tbl 10
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