型號: | IDT70V3319 |
廠商: | Integrated Device Technology, Inc. |
英文描述: | HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
中文描述: | 高速與3.3V 3.3V的256/128K × 18 SYNCHRONOU S雙,端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口 |
文件頁數: | 4/15頁 |
文件大小: | 190K |
代理商: | IDT70V3319 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IDT70V3319S133BC | HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
IDT70V3319S133BCI | HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IDT70V3319S133BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70V3319S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70V3319S133BCGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70V3319S133BCI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70V3319S133BCI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |