參數(shù)資料
型號(hào): IDT70V18L
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述: 高速3.3 64K的× 9雙端口靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù): 4/17頁(yè)
文件大?。?/td> 146K
代理商: IDT70V18L
IDT70V18L
High-Speed 3.3V 64K x 9 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
4
)4)$5556*4'78
#
)4)$5649$
!#
NOTES:
1.
2.
3.
Chip Enable references are shown above with the actual
CE
0
and CE
1
levels;
CE
is a reference only.
'H' = V
IH
and 'L' = V
IL
.
CMOS standby requires 'X' to be either < 0.2V or >V
CC
-0.2V.
)4)$556:'78
NOTES:
1.
2.
A
0L
A
15L
A
0R
A
15R
Refer to Chip Enable Truth Table.
NOTES:
1. There are eight semaphore flags written to I/O
0
and read fromall the I/Os (I/O
0
-I/O
8
). These eight semaphore flags are addressed by A
0
-A
2
.
2. Refer to Chip Enable Truth Table.
CE
CE
0
CE
1
Mode
L
V
IL
V
IH
Port Selected (TTL Active)
< 0.2V
>V
CC
-0.2V
Port Selected (CMOS Active)
H
V
IH
X
Port Deselected (TTL Inactive)
X
V
IL
Port Deselected (TTL Inactive)
>V
CC
-0.2V
X
(3)
Port Deselected (CMOS Inactive)
X
(3)
<0.2V
Port Deselected (CMOS Inactive)
4854 tbl 06
Inputs
(1)
Outputs
Mode
CE
(2)
R/
W
OE
SEM
I/O
0-8
H
X
X
H
High-Z
Deselected: Power-Down
L
L
X
H
DATA
IN
Write to Memory
L
H
L
H
DATA
OUT
Read Memory
X
X
H
X
High-Z
Outputs Disabled
4854 tbl 07
Inputs
Outputs
Mode
CE
(2)
R/
W
OE
SEM
I/O
0-8
H
H
L
L
DATA
OUT
Read Semaphore Flag Data Out
H
X
L
DATA
IN
Write I/O
0
into Semaphore Flag
L
X
X
L
______
Not Allowed
4854 tbl 08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V18L15PF HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V18L15PFI HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V18L20PF HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V18L20PFI HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V24L15PF HIGH-SPEED 3.3V 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V18L15PF 功能描述:IC SRAM 576KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲(chǔ)容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V18L15PF8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲(chǔ)容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V18L20PF 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲(chǔ)容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V18L20PF8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲(chǔ)容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V18L20PFI 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲(chǔ)容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8