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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V15S25JI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速3.3 16/8K × 9雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 8/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | IDT70V15S25JI |
6.42
IDT70V16/5S/L
High-Speed 3.3V 16/8K x 9 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
P
R
E
L
I
M
I
N
A
R
Y
P
R
E
PRELIMINARY
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization but not production tested.
3. To access SRAM
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
. Either condition must be valid for the entire t
EW
time.
4. The specification for t
DH
must be met by the device supplying write data to the SRAMunder all operating conditions. Although t
DH
and t
OW
values will vary over
voltageand temperature, the actual t
DH
will always be smaller than the actual t
OW
.
5. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
0&12&
1+34
:#
Symbol
Parameter
70V16/5X15
Coml Only
70V16/5X20
Coml
& Ind
70V16/5X25
Coml Only
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
12
____
15
____
20
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
12
____
15
____
20
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
12
____
15
____
20
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
10
____
15
____
15
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t
DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
(1,2,4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
SWRD
SEM
Flag Write to Read Time
5
____
5
____
5
____
ns
t
SPS
SEM
Flag Contention Window
5
____
5
____
5
____
ns
5669 tbl 12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V15S25PF | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V15S25PFI | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V16 | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V16L15J | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V16L15JI | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V15S25PF | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V15S25PF8 | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT70V16L15PF | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 15NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V16L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 15NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V16L20PF | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
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