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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V15S25J |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 8K X 9 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQCC68 |
| 封裝： | 0.95 X 0.95 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | IDT70V15S25J |
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6.42
IDT70V16/5S/L
High-Speed 3.3V 16/8K x 9 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
7
E
L
I
M
I
N
A
R
Y
PRELIMINARY
0&12&
1+34*
"#
70V16/5X15
Com'l Only
70V16/5X20
Com'l
& Ind
70V16/5X25
Com'l Only
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
15
____
20
____
25
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
15
____
20
____
25
ns
t
ABE
Byte Enable Access Time
(3)
____
15
____
20
____
25
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
(3)
____
10
____
12
____
13
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(1,2)
____
15
____
20
____
25
ns
t
SOP
Semaphore Flag Update Pulse (
OE
or
SEM
)
10
____
10
____
10
____
ns
t
SAA
Semaphore Address Access
(3)
____
15
____
20
____
25
ns
5669 tbl 11
t
RC
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE
OE
5669 drw 06
(4)
(4)
t
AOE
(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3,4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
-2*+3
:#
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
OE
or
CE
.
2. Timng depends on which signal is de-asserted first,
CE
or
OE
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timng becomes effective last: t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
.
To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
.
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V15S25JI | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V15S25PF | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V15S25PFI | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V16 | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V16L15J | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V15S25PF | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V15S25PF8 | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT70V16L15PF | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 15NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V16L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 15NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V16L20PF | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
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