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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V15L20PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 8K X 9 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP80 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | IDT70V15L20PF |
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6.42
IDT70V16/5S/L
High-Speed 3.3V 16/8K x 9 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
9
E
L
I
M
I
N
A
R
Y
PRELIMINARY
-2-3.% *,
W
+
: @#
NOTES:
1. R/
W
or
CE
must be HIGH during all address transitions.
2. A write occurs during the overlap (t
EW
or t
WP
) of a LOW
CE
and a LOW R/
W
for memory array writing cycle.
3. t
WR
is measured fromthe earlier of
CE
or R/
W
(or
SEM
or R/
W
) going HIGH to the end of write cycle.
4. During this period, the I/O pins are in the output state and input signals must not be applied.
5. If the
CE
or
SEM
LOW transition occurs simultaneously with or after the R/
W
LOW transition, the outputs remain in the High-impedance state.
6. Timng depends on which enable signal is asserted last,
CE
or R/
W
.
7. This parameter is guaranteed by device characterization but is not production tested. Transition is measured 0mV fromsteady state with the Output Test Load (Figure
2).
8. If
OE
is LOW during R/
W
controlled write cycle, the write pulse width must be the larger of t
WP
or (t
WZ
+ t
DW
) to allow the I/O drivers to turn off and data to be
placed on the bus for the required t
DW
. If
OE
is HIGH during an R/
W
controlled write cycle, this requirement does not apply and the write pulse can be as short as
the specified t
WP
.
9. To access RAM
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access Semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
.
t
EW
must be met for either condition.
-2-3.%
CE
+
:#
R/
W
t
WC
t
HZ
t
AW
t
WR
t
AS
t
WP
DATA
OUT
(2)
t
WZ
t
DW
t
DH
t
OW
OE
ADDRESS
DATA
IN
CE
or
SEM
(6)
(4)
(4)
(3)
5669 drw 08
(7)
(9)
(7)
t
LZ
5669 drw 09
t
WC
t
AS
t
WR
t
DW
t
DH
ADDRESS
DATA
IN
CE
or
SEM
R/
W
t
AW
t
EW
(3)
(2)
(6)
(9)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V15L20PFI | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V15L25J | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V15L25JI | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V15L25PF | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V15L25PFI | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V15L20PF8 | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT70V15L25PF | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V15L25PF8 | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT70V15S15PF | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 15NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V15S15PF8 | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 15NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
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