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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V08S20PFI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 64K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/20頁(yè) |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | IDT70V08S20PFI |
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IDT70V08S/L
High-Speed 64K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
4
)2)$4445*2'67
#
)2)$4528$
!#
NOTES:
1.
2.
3.
Chip Enable references are shown above with the actual
CE
0
and CE
1
levels;
CE
is a reference only.
'H' = V
IH
and 'L' = V
IL
.
CMOS standby requires 'X' to be either < 0.2V or >V
CC
-0.2V.
)2)$4459'67
NOTES:
1.
2.
A
0L
—
A
15L
≠
A
0R
—
A
15R
Refer to Chip Enable Truth Table.
NOTES:
1. There are eight semaphore flags written to I/O
0
and read fromall the I/Os (I/O
0
-I/O
7
). These eight semaphore flags are addressed by A
0
-A
2
.
2. Refer to Chip Enable Truth Table.
CE
CE
0
CE
1
Mode
L
V
IL
V
IH
Port Selected (TTL Active)
< 0.2V
>V
CC
-0.2V
Port Selected (CMOS Active)
H
V
IH
X
Port Deselected (TTL Inactive)
X
V
IL
Port Deselected (TTL Inactive)
>V
CC
-0.2V
X
(3)
Port Deselected (CMOS Inactive)
X
(3)
<0.2V
Port Deselected (CMOS Inactive)
3740 tbl 06
Inputs
(1)
Outputs
Mode
CE
(2)
R/
W
OE
SEM
I/O
0-7
H
X
X
H
High-Z
Deselected: Power-Down
L
L
X
H
DATA
IN
Write to Memory
L
H
L
H
DATA
OUT
Read Memory
X
X
H
X
High-Z
Outputs Disabled
3740 tbl 07
Inputs
(1)
Outputs
Mode
CE
(2)
R/
W
OE
SEM
I/O
0-7
H
H
L
L
DATA
OUT
Read Semaphore Flag Data Out
H
↑
X
L
DATA
IN
Write I/O
0
into Semaphore Flag
L
X
X
L
______
Not Allowed
3740 tbl 08
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V08S25PF | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08S25PFI | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08S35PF | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08S35PFI | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08L | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V08S25PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S25PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S35PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S35PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V09L15PF | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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