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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V08S15PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 64K X 8 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 163K |
| 代理商： | IDT70V08S15PF |
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5
IDT70V08S/L
High-Speed 64K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
82(:2(
)'*+,
!;!<#
,
-"1",=1",#
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L)
2. V
CC
= 3.3V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested. I
CCDC
= 90mA (Typ.)
3. At f = f
MAX
,
address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency read cycle of 1/t
RC,
and using
“
AC Test Conditions" of input levels of GND
to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite fromport "A".
6. Refer to Chip Enable Truth Table.
7. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
82(:2(
)'*+,
,
-"1",=1",#
NOTES:
1. At Vcc
<
2.0V, input leakages are undefined.
2. Refer to Chip Enable Truth Table.
Symbol
Parameter
Test Conditions
70V08S
70V08L
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
CE
(2)
= V
IH
, V
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
V
OL
Output LowVoltage
I
OL
= +4mA
___
0.4
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
2.4
___
V
3740 tbl 09
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
70V08X15
Coml Only
Typ.
(2)
Max
70V08X20
Coml Only
Typ.
(2)
Max
Unit
I
CC
Dynamc Operating Current
(Both Ports Active)
CE
= V
IL
, Outputs Disabled
SEM
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
170
170
260
265
165
165
255
220
mA
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
CE
L
=
CE
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
44
44
70
60
39
39
60
50
mA
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL Level Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
COML
S
L
115
115
160
145
105
105
155
140
mA
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
I
SB3
Full Standby Current (Both
Ports - All CMOS Level
Inputs)
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(4)
SEM
R
= SEM
L
> V
CC
- 0.2V
COML
S
L
1.0
0.2
6
3
1.0
0.2
6
3
mA
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
I
SB4
Full Standby Current
(One Port - All CMOS Level
Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port Outputs Disabled
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
115
115
155
140
105
105
150
135
mA
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
3740 tbl 10a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V08S15PFI | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08S20PF | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08S20PFI | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08S25PF | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08S25PFI | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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參數(shù)描述 |
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| IDT70V08S20PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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