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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V08L35PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 64K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 13/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 163K |
| 代理商： | IDT70V08L35PF |
13
IDT70V08S/L
High-Speed 64K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
3740 drw 11
t
DW
t
APS
ADDR
"A"
t
WC
DATA
OUT "B"
MATCH
t
WP
R/
W
"A"
DATA
IN "A"
ADDR
"B"
t
DH
VALID
(1)
MATCH
BUSY
"B"
t
BDA
VALID
t
BDD
t
DDD
(3)
t
WDD
t
BAA
)7:7299''
BUSY
%6
S
-,
4A
#
!>!/#
)7:72
BUSY
%6
S
-,
4B
#
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (SLAVE) and output (MASTER).
2.
BUSY
is asserted on port "B" blocking R/W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes HIGH.
3. All timng is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite fromport "A".
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t
APS
is ignored for M/
S
= V
IL
(SLAVE).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL,
refer to Chip Enable Truth Table.
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. If M/
S
= V
IL
(slave),
BUSY
is an input. Then for this example
BUSY
"A"
= V
IH
and
BUSY
"B"
input is shown above.
5. All timng is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite fromport "A".
3740 drw 12
R/
W
"A"
BUSY
"B"
t
WB
(3)
R/
W
"B"
t
WH
(1)
(2)
t
WP
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V08L35PFI | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08S | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08S15PF | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08S15PFI | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08S20PF | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V08L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S15PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S15PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S20PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S20PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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