參數(shù)資料
型號(hào): IDT70V07S
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述: 高速3.3 32K的× 8雙端口靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù): 6/18頁(yè)
文件大?。?/td> 246K
代理商: IDT70V07S
6.37
6
IDT70V07S/L
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
AC TEST CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2943 tbl 10
Figure 1. AC Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
* Including scope and jig.
2943 drw 06
590
30pF
435
3.3V
DATA
OUT
BUSY
INT
590
5pF
435
3.3V
DATA
OUT
2943 drw 05
CE
2943 drw 07
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
TIMING OF POWER-UP POWER-DOWN
NOTES:
1. Transition is measured
±
200mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM,
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
.
4. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2943 tbl 11
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(4)
IDT70V07X25
IDT70V07X35
IDT70V07X55
Symbol
READ CYCLE
t
RC
t
AA
t
ACE
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
(3)
25
25
25
35
35
35
55
55
55
ns
ns
ns
t
AOE
t
OH
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time
(1, 2)
Output High-Z Time
(1, 2)
Chip Enable to Power Up Time
(2)
Chip Disable to Power Down Time
(2)
3
15
3
20
3
30
ns
ns
t
LZ
3
3
3
ns
t
HZ
t
PU
0
15
0
20
0
25
ns
ns
t
PD
25
35
50
ns
t
SOP
t
SAA
Semaphore Flag Update Pulse (
OE
or
SEM
)
Semaphore Address Access Time
15
35
15
45
15
65
ns
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V07S25G HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07S25J HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07S25PF HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07S35G HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07S35J HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V07S25J 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲(chǔ)容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V07S25J8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,異步 存儲(chǔ)容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V07S25PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲(chǔ)容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V07S25PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口,異步 存儲(chǔ)容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V07S35G 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)