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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V07S55PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 32K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQFP80 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 6/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 246K |
| 代理商： | IDT70V07S55PF |
6.37
6
IDT70V07S/L
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
AC TEST CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2943 tbl 10
Figure 1. AC Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
* Including scope and jig.
2943 drw 06
590
30pF
435
3.3V
DATA
OUT
BUSY
INT
590
5pF
435
3.3V
DATA
OUT
2943 drw 05
CE
2943 drw 07
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
TIMING OF POWER-UP POWER-DOWN
NOTES:
1. Transition is measured
±
200mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM,
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
.
4. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2943 tbl 11
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(4)
IDT70V07X25
IDT70V07X35
IDT70V07X55
Symbol
READ CYCLE
t
RC
t
AA
t
ACE
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
(3)
25
—
—
—
25
25
35
—
—
—
35
35
55
—
—
—
55
55
ns
ns
ns
t
AOE
t
OH
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time
(1, 2)
Output High-Z Time
(1, 2)
Chip Enable to Power Up Time
(2)
Chip Disable to Power Down Time
(2)
—
3
15
—
—
3
20
—
—
3
30
—
ns
ns
t
LZ
3
—
3
—
3
—
ns
t
HZ
t
PU
—
0
15
—
—
0
20
—
—
0
25
—
ns
ns
t
PD
—
25
—
35
—
50
ns
t
SOP
t
SAA
Semaphore Flag Update Pulse (
OE
or
SEM
)
Semaphore Address Access Time
15
—
—
35
15
—
—
45
15
—
—
65
ns
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V07L25G | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L25J | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L25PF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L35G | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L35J | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT70V08L15PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08L15PFG | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08L15PFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP |
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