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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V07S55G |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 32K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CPGA68 |
| 封裝： | 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, PGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 13/18頁 |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | IDT70V07S55G |
IDT70V07S/L
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
6.37
13
WAVEFORM OF INTERRUPT TIMING
(1)
TRUTH TABLE III — INTERRUPT FLAG
(1)
Left Port
R/
W
L
CE
L
OE
L
A
14L
-A
0L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
Right Port
OE
R
INT
L
X
X
L
(3)
H
(2)
R/
W
R
X
X
L
X
CE
R
X
L
L
X
A
14R
-A
0R
INT
X
7FFF
7FFE
X
R
L
(2)
H
(3)
X
X
Function
7FFF
X
X
7FFE
X
L
X
X
Set Right
INT
R
Flag
Reset Right
INT
R
Flag
Set Left
INT
L
Flag
Reset Left
INT
L
Flag
NOTES:
1. Assumes
BUSY
L
=
BUSY
R
=V
IH
.
2. If
BUSY
L
= V
IL
, then no change.
3. If
BUSY
R
= V
IL
, then no change.
2942 tbl 15
TRUTH TABLES
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. See Interrupt truth table.
3. Timing depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is de-asserted first.
2943 drw 17
ADDR
"A"
INTERRUPT SET ADDRESS
CE
"A"
R/
W
"A"
t
AS
t
WC
t
WR
(3)
(4)
t
INS(3)
INT
"B"
(2)
2943 drw 18
ADDR
"B"
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
CE
"B"
OE
"B"
t
AS
t
RC
(3)
t
INR(3)
INT
"B"
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V07S55J | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08L20PF | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08L20PFI | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08L25PF | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V08L25PFI | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V07S55J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07S55J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V07S55PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07S55PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V08L15PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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