參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V07S35G
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 32K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CPGA68
封裝： 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, PGA-68
文件頁(yè)數(shù)： 12/18頁(yè)
文件大?。?/td> 246K
代理商： IDT70V07S35G
6.37
12
IDT70V07S/L
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
WAVEFORM OF BUSY ARBITRATION CONTROLLED BY
CE
TIMING
(1)
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. If t
APS
is not satisfied, the busy signal will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side busy will be asserted.
NOTE:
1. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2942 tbl 14
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(1)
IDT70V07X25
IDT70V07X35
IDT70V07X55
Symbol
INTERRUPT TIMING
t
AS
t
WR
t
INS
t
INR
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
—
—
—
—
25
30
0
0
—
—
—
—
30
35
0
0
—
—
—
—
40
45
ns
ns
ns
ns
WAVEFORM OF BUSY ARBITRATION CYCLE CONTROLLED BY ADDRESS MATCH TIMING
(1)
2943 drw 15
ADDR
"A"
and
"B"
ADDRESSES MATCH
CE
"A"
CE
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAC
t
BDC
(2)
2943 drw 16
ADDR
"A"
ADDRESS "N"
ADDR
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAA
t
BDA
(2)
MATCHING ADDRESS "N"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V07S35J HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07S35PF HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07S55G HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07S55J HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V08L20PF HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V07S35J 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V07S35J8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V07S35PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V07S35PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V07S55G 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 68PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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