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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V07S25G |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 32K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, CPGA68 |
| 封裝： | 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, PGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 7/18頁 |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | IDT70V07S25G |
IDT70V07S/L
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
6.37
7
WAVEFORM OF READ CYCLES
(5)
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last,
OE
or
CE
.
2. Timing depends on which signal is de-asserted first,
CE
or
OE
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
NOTES:
1. Transition is measured
±
200mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM,
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
. Either condition must be valid for the entire t
EW
time.
4. The specification for t
DH
must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although t
DH
and t
OW
values will vary
over voltage and temperature, the actual t
DH
will always be smaller than the actual t
OW
.
5. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2943 tbl 12
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE
(5)
IDT70V07X25
IDT70V07X35
IDT70V07X55
Symbol
WRITE CYCLE
t
WC
t
EW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Write Cycle Time
Chip Enable to End-of-Write
(3)
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time
(3)
Write Pulse Width
Write Recovery Time
25
20
20
0
20
0
—
—
—
—
—
—
35
30
30
0
25
0
—
—
—
—
—
—
55
45
45
0
40
0
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
Output High-Z Time
(1, 2)
Data Hold Time
(4)
Write Enable to Output in High-Z
(1, 2)
Output Active from End-of-Write
(1, 2, 4)
SEM
Flag Write to Read Time
15
—
20
—
30
—
ns
t
HZ
t
DH
—
0
15
—
—
0
20
—
—
0
25
—
ns
ns
t
WZ
—
15
—
20
—
25
ns
t
OW
t
SWRD
0
5
—
—
0
5
—
—
0
5
—
—
ns
ns
t
SPS
SEM
Flag Contention Window
5
—
5
—
5
—
ns
t
RC
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE(4)
OE
2943 drw 08
(4)
t
AOE(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3, 4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V07S25J | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07S25PF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07S35G | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07S35J | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07S35PF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT70V07S25J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V07S25PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07S25PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V07S35G | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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