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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V07L25JI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 32K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQCC68 |
| 封裝： | 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68 |
| 文件頁數(shù)： | 7/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 174K |
| 代理商： | IDT70V07L25JI |
7
IDT70V07S/L
High-Speed 32K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
GND to 3.0V
Figure 1. AC Output Test Load
Timing of Power-Up Power-Down
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow- or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2.
This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3.
To access RAM CE = V
IL
and SEM= V
IH
. To access semaphore, CE = V
IH
and SEM= V
IL
.
4.
'X' in part number indicates power rating (S or L).
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range
(4)
CE
2943 drw 07
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
,
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
3ns
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2943 tbl 10
Figure 2. Output Test Load
(for t
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*Including scope and jig.
2943 drw 06
590
30pF
435
3.3V
DATA
OUT
BUSY
I
NT
590
5pF*
435
3.3V
DATA
OUT
2943 drw 05
70V07X25
Com'l
& Ind
70V07X35
Com'l Only
70V07X55
Com'l Only
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
25
____
35
____
55
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
25
____
35
____
55
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
25
____
35
____
55
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
15
____
20
____
30
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
20
____
25
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
25
____
35
____
50
ns
t
SOP
Semaphore Flag Update Pulse
(OE
or
SEM
)
15
____
15
____
15
____
ns
t
SAA
Semaphore Address Access Time
____
35
____
45
____
65
ns
2943 tbl 11
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V07L25PFI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L35GI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L35PFI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L55GI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L55JI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT70V07L25PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07L25PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V07L25PFG | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 80TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07L25PFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 80TQFP |
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