參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V07L25J
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 32K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQCC68
封裝： 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68
文件頁(yè)數(shù)： 13/18頁(yè)
文件大?。?/td> 246K
代理商： IDT70V07L25J
IDT70V07S/L
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
6.37
13
WAVEFORM OF INTERRUPT TIMING
(1)
TRUTH TABLE III — INTERRUPT FLAG
(1)
Left Port
R/
W
L
CE
L
OE
L
A
14L
-A
0L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
Right Port
OE
R
INT
L
X
X
L
(3)
H
(2)
R/
W
R
X
X
L
X
CE
R
X
L
L
X
A
14R
-A
0R
INT
X
7FFF
7FFE
X
R
L
(2)
H
(3)
X
X
Function
7FFF
X
X
7FFE
X
L
X
X
Set Right
INT
R
Flag
Reset Right
INT
R
Flag
Set Left
INT
L
Flag
Reset Left
INT
L
Flag
NOTES:
1. Assumes
BUSY
L
=
BUSY
R
=V
IH
.
2. If
BUSY
L
= V
IL
, then no change.
3. If
BUSY
R
= V
IL
, then no change.
2942 tbl 15
TRUTH TABLES
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. See Interrupt truth table.
3. Timing depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is de-asserted first.
2943 drw 17
ADDR
"A"
INTERRUPT SET ADDRESS
CE
"A"
R/
W
"A"
t
AS
t
WC
t
WR
(3)
(4)
t
INS(3)
INT
"B"
(2)
2943 drw 18
ADDR
"B"
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
CE
"B"
OE
"B"
t
AS
t
RC
(3)
t
INR(3)
INT
"B"
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V07L25PF HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07L35G HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07L35J HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07L35PF 400V N-Channel MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
IDT70V07L55G 400V N-Channel MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V07L25J8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V07L25JI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V07L25JI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V07L25PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V07L25PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*