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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V06S55PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 16K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQFP64 |
| 封裝： | TQFP-64 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | IDT70V06S55PF |
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6.42
IDT70V06S/L
High-Speed 16K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
/&01&0
%+.23
3
4 $ 35$ 3!
++0
+
60%
+.23
!
'6
!
%
47894$:!
NOTES:
1.
Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximumrating conditions for extended periods may affect reliability.
V
TERM
must not exceed Vcc + 0.3V.
2.
NOTE:
1.
This is the parameter T
A
.
NOTES:
1.
2.
V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10ns.
V
TERM
must not exceed V
CC
+0.3V.
NOTES:
1.
This parameter is determned by device characterization but is not production
tested.
3dV references the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from0V to 3V or from3V to 0V.
2.
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
wth Respect
to GND
-0.5 to +4.6
V
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-55 to +125
o
C
I
OUT
DC Output
Current
50
mA
2942 tbl 04
Grade
Ambient Temperature
GND
Vcc
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
2942 tbl 05
Symbol
Parameter
(1)
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
2942 tbl 07
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
____
V
CC
+0.3
(2)
V
V
IL
Input LowVoltage
-0.5
(1)
____
0.8
V
2942 tbl 06
Symbol
Parameter
Test Conditions
70V06S
70V06L
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
V
OUT
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
V
OL
Output LowVoltage
I
OL
= +4mA
___
0.4
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
2.4
___
V
2942 tbl 08
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V input leakages are undefined.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V06S55PFI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V07S35JI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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參數(shù)描述 |
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| IDT70V07L25J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07L25J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07L25JI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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