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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V06S55GI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 16K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CPGA68 |
| 封裝： | CERAMIC, PGA-68 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/22頁(yè) |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | IDT70V06S55GI |
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8
IDT70V06S/L
High-Speed 16K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
/&01&
0%+.23
=!
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed but not tested.
3. To access SRAM
CE
= V
IL
,
SEM
= V
IH
.
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
70V06X15
Com'l Only
70V06X20
Com'l
& Ind
70V06X25
Com'l
& Ind
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
15
____
20
____
25
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
15
____
20
____
25
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
(3)
____
10
____
12
____
13
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(1,2)
____
15
____
20
____
25
ns
t
SOP
Semaphore Flag Update Pulse (
or
)
10
____
10
____
10
____
ns
t
SAA
Semaphore Address Access
(3)
____
15
____
20
____
25
ns
2942 tbl 11a
70V06X35
Com'l
& Ind
70V06X55
Com'l
& Ind
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
35
____
55
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
35
____
55
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
35
____
55
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
(3)
____
20
____
30
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
25
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(1,2)
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(1,2)
____
35
____
50
ns
t
SOP
Semaphore Flag Update Pulse (
or
)
15
____
15
____
ns
t
SAA
Semaphore Address Access
(3)
____
35
____
55
ns
2942 tbl 11b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V06S55J | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V06S55JI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V06S55PF | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V06S55PFI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V06L15G | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT70V06S55PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V06S55PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT70V07L25J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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