參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V06S35J
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 16K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC68
封裝： PLASTIC, LCC-68
文件頁(yè)數(shù)： 6/22頁(yè)
文件大?。?/td> 171K
代理商： IDT70V06S35J
6
IDT70V06S/L
High-Speed 16K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
/&01&0
%+.23
!
3
4 $ 35$ 3!
NOTES:
1.
2.
3.
'X' in part number indicates power rating (S or L)
V
CC
= 3.3, T
A
= +25
°
C.
At f = f
MAX
,
address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency read cycle of 1/t
RC
, and using
“
AC Test Conditions
”
of input levels of
GND to 3V.
f = 0 means no address or control lines change.
4.
70V06X15
Com'l Only
70V06X20
Com'l
& Ind
70V06X25
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
I
CC
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
= V
IL
, Outputs Open
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
150
140
215
185
140
130
200
175
130
125
190
165
mA
IND
S
L
____
____
____
____
140
130
225
195
130
125
210
180
mA
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
R
=
R
=
L
= V
IH
L
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
25
20
35
30
20
15
30
25
16
13
30
25
mA
IND
S
L
____
____
____
____
20
15
45
40
16
13
45
40
mA
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
L
or
R
= V
IH
Active Port Outputs Open,
f=f
MAX
(3)
COML
S
L
85
80
120
110
80
75
110
100
75
72
110
95
mA
IND
S
L
____
____
____
____
80
75
130
115
75
72
125
110
mA
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Both Ports
R
> V
CC
- 0.2V,
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
R
=
L
and
L
> V
CC
- 0.2V
COML
S
L
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
mA
IND
S
L
____
____
____
____
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
mA
I
SB4
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
One Port
R
> V
CC
- 0.2V
R
=
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port Outputs Open,
f = f
MAX
or
L
> V
CC
- 0.2V
COML
S
L
85
80
125
105
80
75
115
100
75
70
105
90
mA
IND
S
L
____
____
____
____
80
75
130
115
75
70
120
105
mA
2942 tbl 09a
70V06X35
Com'l
& Ind
70V06X55
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
I
CC
Dynamc Operating
Current
(Both Ports Active)
= V
IL
, Outputs Open
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COM'L
S
L
120
115
180
155
120
115
180
155
mA
IND
S
L
120
115
200
170
120
115
200
170
mA
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
R
=
R
=
L
= V
IH
L
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COM'L
S
L
13
11
25
20
13
11
25
20
mA
IND
S
L
13
11
40
35
13
11
40
35
mA
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
L
or
R
= V
IH
Active Port Outputs Open,
f=f
MAX
(3)
COM'L
S
L
70
65
100
90
70
65
100
90
mA
IND
S
L
70
65
120
105
70
65
120
105
mA
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Both Ports
R
> V
CC
- 0.2V,
V
IN
> V
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(4)
R
=
L
and
L
> V
CC
- 0.2V
COM'L
S
L
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
mA
IND
S
L
1.0
0.2
15
5
1.0
0.2
15
5
mA
I
SB4
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
One Port
R
> V
CC
- 0.2V
R
=
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port Outputs Open,
f = f
MAX
L
or
L
> V
CC
- 0.2V
COM'L
S
L
65
60
100
85
65
60
100
85
mA
IND
S
L
65
60
115
100
65
60
115
100
mA
2942 tbl 09b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V06S35JI -12V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape &amp; Reel
IDT70V06S35PF -12V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
IDT70V06S35PFI 80V Dual N &amp; P-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 5; Container: Tape &amp; Reel
IDT70V06S55G 100V N-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape &amp; Reel
IDT70V06S55GI HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V06S35J8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V06S35PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V06S35PF8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V06S55G 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V06S55J 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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