參數(shù)資料
型號： IDT70V06S35GI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 16K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CPGA68
封裝： CERAMIC, PGA-68
文件頁數(shù)： 10/22頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： IDT70V06S35GI
10
IDT70V06S/L
High-Speed 16K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
/&01&
0%+.23
8!
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed but not tested.
3. To access SRAM
CE
= V
IL
,
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
. Either condition must be valid for the entire t
EW
time.
4. The specification for t
DH
must be met by the device supplying write data to the RAMunder all operating conditions. Although t
DH
and t
OW
values will vary over voltage and
temperature, the actual t
DH
will always be smaller than the actual t
OW
.
5. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
Symbol
Parameter
70V06X15
Com'l Only
70V06X20
Com'l
& Ind
70V06X25
Com'l
& Ind
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
12
____
15
____
20
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
12
____
15
____
20
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
12
____
15
____
20
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
10
____
15
____
15
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t
DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
(1,2,4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
SWRD
Flag Write to Read Time
5
____
5
____
5
____
ns
t
SPS
Flag Contention Window
5
____
5
____
5
____
ns
2942 tbl 12a
Symbol
Parameter
70V06X35
Com'l
& Ind
70V06X55
Com'l
& Ind
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
35
____
55
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
30
____
45
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
30
____
45
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
25
____
40
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
15
____
30
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
25
ns
t
DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1,2)
____
15
____
25
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
(1,2,4)
0
____
0
____
ns
t
SWRD
Flag Write to Read Time
5
____
5
____
ns
t
SPS
Flag Contention Window
5
____
5
____
ns
2942 tbl 12b
相關PDF資料
PDF描述
IDT70V06S35J HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06S35JI -12V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
IDT70V06S35PF -12V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
IDT70V06S35PFI 80V Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 5; Container: Tape & Reel
IDT70V06S55G 100V N-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V06S35J 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V06S35J8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V06S35PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V06S35PF8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V06S55G 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*