參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V06S25PFI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 200V N-Channel PowerTrench MOSFET; ; No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
中文描述： 16K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64
封裝： TQFP-64
文件頁數(shù)： 15/22頁
文件大小： 171K
代理商： IDT70V06S25PFI
6.42
IDT70V06S/L
High-Speed 16K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
%-1-;&
BUSY
NOTES:
1. All timng is the same for left and right ports. Port
“
A
”
may be either the left or right port. Port
“
B
”
is the port opposite from
“
A
”
.
2. If t
APS
is not satisfied, the
BUSY
signal will be asserted on one side or another but there is no guarantee on which side
BUSY
will be asserted.
-1
%
BUSY
'2+'2++&
S
43
(
!
!
,
-1
BUSY
'+'2
CE
%
!
,
S
43
(
!
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (slave) output master.
2.
BUSY
is asserted on Port
“
B
”
Blocking R/
W
“
B
”
, until
BUSY
“
B
”
goes HIGH.
3. t
WB
is only for the slave version.
2942 drw 13
R/
"A"
"B"
t
WP
t
WB
(3)
R/
"B"
t
WH
(1)
(2)
2942 drw14
ADDR
"A"
and
"B"
ADDRESSES MATCH
"A"
"B"
"B"
t
APS
t
BAC
t
BDC
(2)
2942 drw 15
ADDR
"A"
ADDRESS "N"
ADDR
"B"
"B"
t
APS
t
BAA
t
BDA
(2)
MATCHING ADDRESS "N"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V06S35G 200V N-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
IDT70V06S35GI 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
IDT70V06S35J HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06S35JI -12V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
IDT70V06S35PF -12V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V06S35G 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 68PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V06S35J 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V06S35J8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V06S35PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V06S35PF8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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