參數資料
型號： IDT70T9359L9PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 8K X 18 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數： 11/16頁
文件大?。?/td> 213K
代理商： IDT70T9359L9PF
6.42
IDT70T9359/49L
High-Speed 2.5V 8/4K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
&.>,+,BB.BB+,
OE
84
)
#
!#
&.>,+,BB.BB+,
OE
,#
!#
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. Output state (High, Low, or High-impedance) is determned by the previous cycle control signals.
3.
CE
0
,
UB
,
LB
, and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
CNTRST
= V
IH
. "NOP" is "No Operation".
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V
IL
constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for
reference use only.
5. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
DATA
IN
Dn + 2
(1)
CE
0
CLK
5640 drw 10
Qn
Qn + 3
DATA
OUT
CE
1
UB
,
LB
t
CD2
t
CKHZ
t
CKLZ
t
CD2
t
SC
t
HC
t
SB
t
HB
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
READ
NOP
READ
t
SD
t
HD
(4)
(2)
(1)
t
SW
t
HW
WRITE
(5)
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
DATA
IN
Dn + 3
Dn + 2
CE
0
CLK
5640 drw 11
DATA
OUT
Qn
t
OHZ
(1)
Qn + 4
CE
1
UB
,
LB
OE
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
t
CKLZ
(1)
t
CD2
t
CD2
t
SD
t
HD
READ
WRITE
READ
t
SC
t
HC
t
SB
t
HB
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
(4)
(2)
t
SW
t
HW
相關PDF資料
PDF描述
IDT70T9359L9PFI HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70T9349L12BF HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70T9349L12BFI HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70T9349L12PF HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70T9349L12PFI HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
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