型號(hào): | IDT70T651S10BFI |
廠商: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
元件分類(lèi): | DRAM |
英文描述: | JFET-Input Operational Amplifier 14-TSSOP 0 to 70 |
中文描述: | 256K X 36 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA208 |
封裝: | FBGA-208 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/15頁(yè) |
文件大?。?/td> | 190K |
代理商: | IDT70T651S10BFI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IDT70T651S10DR | JFET-Input Operational Amplifier 14-TSSOP 0 to 70 |
IDT70T651S12BC | HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
IDT70V05L25G | Dual OpAmp With Internal Reference 8-SOIC -40 to 105 |
IDT70V05L25J | Dual OpAmp With Internal Reference 8-SOIC -40 to 105 |
IDT70V05L25PF | Dual OpAmp With Internal Reference 8-SOIC -40 to 105 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
IDT70T651S10BFI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70T651S10DR | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208QFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70T651S12BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70T651S12BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70T651S12BCI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |