型號: | IDT70T633S12BF |
廠商: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | JFET-Input Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70 |
中文描述: | 512K X 18 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA208 |
封裝: | 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-208 |
文件頁數(shù): | 1/15頁 |
文件大?。?/td> | 190K |
代理商: | IDT70T633S12BF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IDT70T633S12BFI | JFET-Input Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70 |
IDT70T633S12DD | JFET-Input Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70 |
IDT70T633S15BC | JFET-Input Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70 |
IDT70T633S15BCI | JFET-Input Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70 |
IDT70T633S15BF | JFET-Input Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IDT70T633S12BF8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70T633S12BFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FPBGA |
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IDT70T633S12BFI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70T633S12BFI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |