型號(hào): | IDT70T633S12BCI |
廠商: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
中文描述: | 512K X 18 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256 |
封裝: | 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 |
文件頁數(shù): | 12/15頁 |
文件大?。?/td> | 190K |
代理商: | IDT70T633S12BCI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IDT72V3690 | DIODE ZENER SINGLE 1000mW 8.2Vz 31mA-Izt 0.05 10uA-Ir 6Vr DO41-GLASS 5K/REEL |
IDT54FCT138PB | FAST CMOS 1-OF-8 DECODER WITH ENABLE |
IDT74FCT138PB | FAST CMOS 1-OF-8 DECODER WITH ENABLE |
IDT54FCT139EB | DIODE, ZENER, 3.3V, 225MW, 5%, SOT-23 |
IDT74FCT139EB | DIODE ZENER SINGLE 350mW 3.3Vz 20mA-Izt 0.05 25uA-Ir 1 SOT-23 3K/REEL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IDT70T633S12BCI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70T633S12BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70T633S12BF8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70T633S12BFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FPBGA |
IDT70T633S12BFGI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FPBGA |