- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄353800 > IDT70T633S10BFI (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT70T633S10BFI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 512K X 18 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PBGA208 |
| 封裝： | 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-208 |
| 文件頁數(shù)： | 14/15頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IDT70T633S10BFI |
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
8
Timing Waveform of Read Cycle for Flow-Through Output
(FT/PIPE"X" = VIL)(3,7)
Timing Waveform of Read Cycle for Pipelined Operation
(FT/PIPE"X" = VIH)(3,7)
An
An + 1
An + 2
An + 3
tCYC1
tCH1
tCL1
R/W
ADDRESS
DATAOUT
CE0
CLK
OE
tSC
tHC
tCD1
tCKLZ
Qn
Qn + 1
Qn + 2
tOHZ
tOLZ
tOE
tCKHZ
4857 drw 06
(1)
(2)
CE1
UB, LB
(4)
tSB
tHB
tSW
tHW
tSA
tHA
tDC
(5)
tSC
tHC
tSB
tHB
An
An + 1
An + 2
An + 3
tCYC2
tCH2
tCL2
R/W
ADDRESS
CE0
CLK
CE1
UB, LB
(4)
DATAOUT
OE
tCD2
tCKLZ
Qn
Qn + 1
Qn + 2
tOHZ
tOLZ
tOE
4857 drw 07
(1)
(2)
tSC
tHC
tSB
tHB
tSW
tHW
tSA
tHA
tDC
tSC
tHC
tSB
tHB
(5)
(1 Latency)
(6)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2.
OE is asynchronously controlled; all other inputs are synchronous to the rising clock edge.
3.
ADS = VIL, CNTEN and CNTRST = VIH.
4. The output is disabled (High-Impedance state) by
CE0 = VIH, CE1 = VIL, UB = VIH, or LB = VIH following the next rising edge of the clock. Refer to Truth Table 1.
5. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = VIL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers
are for reference use only.
6. If
UB or LB was HIGH, then the Upper Byte and/or Lower Byte of DATAOUT for Qn + 2 would be disabled (High-Impedance state).
7. "X' here denotes Left or Right port. The diagram is with respect to that port.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T633S10DD | HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| IDT70T633S12BC | WRISTBAND, ELASTIC, ADJUSTABLE 4MM RoHS Compliant: NA |
| IDT70T633S12BCI | HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| IDT72V3690 | DIODE ZENER SINGLE 1000mW 8.2Vz 31mA-Izt 0.05 10uA-Ir 6Vr DO41-GLASS 5K/REEL |
| IDT54FCT138PB | FAST CMOS 1-OF-8 DECODER WITH ENABLE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70T633S10BFI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T633S10DD | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 144TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70T633S12BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T633S12BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T633S12BCI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。