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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70T631S |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| 中文描述： | 高速2.5V的512/256K與3.3V 5011 2.5V的接口× 18 ASYNCHRONO美國雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 1/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 342K |
| 代理商： | IDT70T631S |
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2003 Integrated Device Technology, Inc.
1
NOVEMBER 2003
DSC-5670/3
Functional Block Diagram
◆
Full hardware support of semaphore signaling between
ports on-chip
◆
On-chip port arbitration logic
◆
Fully asynchronous operation from either port
◆
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
◆
Sleep Mode Inputs on both ports
◆
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1 in
BGA-208 and BGA-256 packages
◆
Single 2.5V (±100mV) power supply for core
◆
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
◆
Available in a 256-ball Ball Grid Array, 144-pin Thin Quad
Flatpack and 208-ball fine pitch Ball Grid Array
◆
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Features
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆
High-speed access
– Commercial: 8/10/12/15ns (max.)
– Industrial: 10/12ns (max.)
◆
RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write
cycles
◆
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
◆
IDT70T633/1 easily expands data bus width to 36 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
◆
M/
S
= V
IH
for
BUSY
output flag on Master,
M/
S
= V
IL
for
BUSY
input on Slave
◆
Busy and Interrupt Flags
HIGH-SPEED 2.5V
512/256K x 18
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT
STATIC RAM
WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
PRELIMINARY
IDT70T633/1S
1.
2.
3
4.
Address A
18
x is a NC for IDT70T631.
BUSY
is an input as a Slave (M/
S
=V
IL
) and an output when it is a Master (M/
S
=V
IH
).
BUSY
and
INT
are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. OPTx,
INT
x, M/
S
and the
sleep mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.
CE
0R
CE
1R
R/
W
R
LB
R
UB
R
512/256K x 18
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A
18R
(1)
A
0R
Address
Decoder
CE
0L
CE
1L
R/
W
L
LB
L
UB
L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
B
E
0
L
B
E
1
L
B
E
1
R
B
E
0
R
I/O
0L
- I/O
17L
I/O
0R
- I/O
17R
Din_L
ADDR_L
Din_R
ADDR_R
OE
R
OE
L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
M/
S
R/
W
L
OE
L
R/
W
R
OE
R
CE
0L
CE
1L
CE
0R
CE
1R
5670 drw 01
A
18L
(1)
A
0L
ZZ
CONTROL
LOGIC
ZZ
L(4)
ZZ
R(4)
JTAG
TCK
TMS
TRST
TDI
TDO
INT
L(3)
SEM
L
BUSY
L(2,3)
BUSY
R(2,3)
SEM
R
INT
R(3)
NOTES:
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T9159L | HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70T9169 | HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70T9169L7BF1 | HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70T9169L7PF | HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70T9169L7PF1 | HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70T631S10BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T631S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T631S10BCI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T631S10BCI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T631S10BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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