參數(shù)資料
型號(hào): IDT70T631S15BF
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
中文描述: 256K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA208
封裝: 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-208
文件頁(yè)數(shù): 4/15頁(yè)
文件大?。?/td> 190K
代理商: IDT70T631S15BF
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
12
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance(1)
Timing Waveform of Flow-Through Read with Address Counter Advance(1)
NOTES:
1.
CE0, OE, UB, and LB = VIL; CE1, R/W, and CNTRST = VIH.
2. If there is no address change via
ADS = VIL (loading a new address) or CNTEN = VIL (advancing the address), i.e. ADS = VIH and CNTEN = VIH, then the data
output remains constant for subsequent clocks.
ADDRESS
An
CLK
DATAOUT
Qx - 1
(2)
Qx
Qn
Qn + 2
(2)
Qn + 3
ADS
CNTEN
tCYC2
tCH2
tCL2
4857 drw 14
tSA
tHA
tSAD tHAD
tCD2
tDC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
tSAD tHAD
tSCN tHCN
READ
WITH
COUNTER
Qn + 1
ADDRESS
An
CLK
DATAOUT
Qx
(2)
Qn
Qn + 1
Qn + 2
Qn + 3
(2)
Qn + 4
ADS
CNTEN
tCYC1
tCH1
tCL1
4857 drw 15
tSA
tHA
tSAD tHAD
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
tCD1
tDC
tSAD tHAD
tSCN tHCN
READ
WITH
COUNTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70T631S15BFI JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
IDT70T631S15DD JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70
IDT70T631S8BC JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70
IDT70T631S8BCI HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IDT70T631S8BF HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70T631S15BF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T631S15DD 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 144TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70T631S8BC 功能描述:IC SRAM 4MBIT 8NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T631S8BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 8NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T631S8BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 8NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)