參數(shù)資料
型號(hào): IDT70T631S12DDI
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
中文描述: 256K X 18 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PQFP144
封裝: 20 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-144
文件頁數(shù): 4/15頁
文件大?。?/td> 190K
代理商: IDT70T631S12DDI
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
12
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance(1)
Timing Waveform of Flow-Through Read with Address Counter Advance(1)
NOTES:
1.
CE0, OE, UB, and LB = VIL; CE1, R/W, and CNTRST = VIH.
2. If there is no address change via
ADS = VIL (loading a new address) or CNTEN = VIL (advancing the address), i.e. ADS = VIH and CNTEN = VIH, then the data
output remains constant for subsequent clocks.
ADDRESS
An
CLK
DATAOUT
Qx - 1
(2)
Qx
Qn
Qn + 2
(2)
Qn + 3
ADS
CNTEN
tCYC2
tCH2
tCL2
4857 drw 14
tSA
tHA
tSAD tHAD
tCD2
tDC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
tSAD tHAD
tSCN tHCN
READ
WITH
COUNTER
Qn + 1
ADDRESS
An
CLK
DATAOUT
Qx
(2)
Qn
Qn + 1
Qn + 2
Qn + 3
(2)
Qn + 4
ADS
CNTEN
tCYC1
tCH1
tCL1
4857 drw 15
tSA
tHA
tSAD tHAD
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
tCD1
tDC
tSAD tHAD
tSCN tHCN
READ
WITH
COUNTER
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IDT70T631S15BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T631S15BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T631S15BF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T631S15DD 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 144TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ