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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70T3589S-166BCI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 高速與3.3V 2.5V的256/128/64K × 36 SYNCHRONOU S雙，端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口 |
| 文件頁數(shù)： | 10/28頁 |
| 文件大小： | 442K |
| 代理商： | IDT70T3589S-166BCI |
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6.42
IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(3)
(V
DD
= 2.5V ± 100mV)
NOTES:
1. At f = f
MAX
, address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t
CYC
, using "AC TEST CONDITIONS".
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V
DD
= 2.5V, T
A
= 25°C for Typ, and are not production tested. I
DD DC
(f=0)
= 15mA (Typ).
5.
CE
X
= V
IL
means
CE
0X
= V
IL
and CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
means
CE
0X
= V
IH
or CE
1X
= V
IL
CE
X
< 0.2V means
CE
0X
< 0.2V and CE
1X
> V
DD
- 0.2V
CE
X
> V
DD
- 0.2V means
CE
0X
> V
DD
- 0.2V or CE
1X
- 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. I
SB
1
, I
SB
2
and
I
SB
4
will all reach full standby levels
(
I
SB
3)
on the appropriate port(s) if ZZ
L
and/or ZZ
R
= V
IH
.
7. 166MHz I-Temp is not available in the BF-208 package.
8. 200Mhz is not available in the BF-208 and DR-208 packages.
70T3519/99/89
S200
Com'l Only
(8)
70T3519/99/89
S166
Com'l
& Ind
(7)
70T3519/99/89
S133
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Unit
I
DD
Dynamic Operating
Current (Both
Ports Active)
CE
L
and
CE
R
= V
IL
,
Outputs Disabled,
f = f
MAX
(1)
COM'L
S
375
525
320
450
260
370
mA
IND
S
___
___
320
510
260
450
I
SB1
(6)
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
MAX
(1)
COM'L
S
205
270
175
230
140
190
mA
IND
S
___
___
175
275
140
235
I
SB2
(6)
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f
MAX
COM'L
S
300
375
250
325
200
250
mA
IND
S
___
___
250
365
200
310
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports - CMOS
Level Inputs)
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
DDQ
- 0.2V, V
IN
> V
DDQ
- 0.2V
or V
IN
< 0.2V, f = 0
COM'L
S
5
15
5
15
5
15
mA
IND
S
___
___
5
20
5
20
I
SB4
(6)
Full Standby Current
(One Port - CMOS
Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
DDQ
- 0.2V
(5)
V
IN
> V
DDQ
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port, Outputs Disabled, f = f
MAX
(1)
COM'L
S
300
375
250
325
200
250
mA
IND
S
___
___
250
365
200
310
Izz
Sleep Mode Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
ZZ
L =
ZZ
R =
V
IH
f=f
MAX
(1)
COM'L
S
5
15
5
15
5
15
mA
IND
S
___
___
5
20
5
20
5666 tbl 09
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IDT70T3599S-166DRI | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70T3599S-200BC | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70T3599S-200BCI | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
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