參數(shù)資料
型號(hào): IDT70T3539MS999BCI
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述: 高速與3.3V 2.5V的為512k × 36 SYNCHRONOU S雙,端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口
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文件大小: 421K
代理商: IDT70T3539MS999BCI
6.42
IDT70T3539M Preliminary
High-Speed 2.5V 512K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Description:
The IDT70T3539M is a high-speed 512K x 36 bit synchronous Dual-
Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port memory cells to allow
simultaneous access of any address from both ports. Registers on control,
data, and address nputs provide minimal setup and hold times. The timing
latitude provided by this approach allows systems to be designed with very
short cycle times. With an nput data register, the IDT70T3539M has been
optimized for applications having unidirectional or bidirectional data flow
in bursts. An automatic power down feature, controlled by
CE
0
and CE
1,
permits the on-chip circuitry of each port to enter a very ow standby power
mode.
The 70T3539M can support an operating voltage of either 3.3V or
2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power supply
for the core of the device (V
DD
) is at 2.5V.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70T3539MS133BC HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3539MS133BCI HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3539MS166BC HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3539MS166BCI HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3599S133BCI HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
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參數(shù)描述
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IDT70T3589S133BC8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3589S133BCI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3589S133BCI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3589S133BF 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)