參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70P248
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： VERY LOW POWER 1.8V 8K/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 低功耗1.8V的8K/4K × 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 15/15頁(yè)
文件大?。?/td> 190K
代理商： IDT70P248
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
9
Timing Waveform with Port-to-Port Flow-Through Read(4,5,7)
Timing Waveform of a Bank Select Pipelined Read(1,2)
tSC
tHC
CE0(B1)
ADDRESS(B1)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
tSA
tHA
CLK
4857 drw 08
Q0
Q1
Q3
DATAOUT(B1)
tCH2
tCL2
tCYC2
(3)
ADDRESS(B2)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
tSA
tHA
CE0(B2)
DATAOUT(B2)
Q2
Q4
tCD2
tCKHZ
tCD2
tCKLZ
tDC
tCKHZ
tCD2
tCKLZ
(3)
tSC
tHC
(3)
tCKHZ
(3)
tCKLZ
(3)
tCD2
A6
tDC
tSC
tHC
tSC
tHC
DATAIN "A"
CLK "B"
R/
W "B"
ADDRESS "A"
R/
W "A"
CLK "A"
ADDRESS "B"
NO
MATCH
NO
MATCH
VALID
tCWDD
tCD1
tDC
DATAOUT "B"
4857 drw 09
VALID
tSW
tHW
tSA
tHA
tSD
tHD
tHW
tCD1
tCCS
tDC
tSA
tSW
tHA
(6)
NOTES:
1. B1 Represents Bank #1; B2 Represents Bank #2. Each Bank consists of one IDT70V9379 for this waveform, and are setup for depth expansion in this
example. ADDRESS(B1) = ADDRESS(B2) in this situation.
2.
UB, LB, OE, and ADS = VIL; CE1(B1), CE1(B2), R/W, CNTEN, and CNTRST = VIH.
3. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
4.
CE0, UB, LB, and ADS = VIL; CE1, CNTEN, and CNTRST = VIH.
5.
OE = VIL for the Right Port, which is being read from. OE = VIH for the Left Port, which is being written to.
6. If tCCS < maximum specified, then data from right port READ is not valid until the maximum specified for tCWDD.
If tCCS > maximum specified, then data from right port READ is not valid until tCCS + tCD1. tCWDD does not apply in this case.
7. All timing is the same for both Left and Right ports. Port "A" may be either Left or Right port. Port "B" is the opposite from Port "A".
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70P248L55BYI VERY LOW POWER 1.8V 8K/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70P258 VERY LOW POWER 1.8V 8K/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT72V72100 3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II 72-BIT FIFO
IDT72T72115L6BBI 2.5 VOLT HIGH-SPEED TeraSyncTM FIFO 72-BIT CONFIGURATIONS
IDT72T72115L7BB 2.5 VOLT HIGH-SPEED TeraSyncTM FIFO 72-BIT CONFIGURATIONS
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參數(shù)描述
IDT70P248L55BYGI 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 108PGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:70V25S15PF
IDT70P248L55BYGI8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 108PGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT70P248L55BYI 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 108PGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:70V25S15PF
IDT70P248L55BYI8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 108PGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT70P249L65BYGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 64KBIT 65NS 100FPBGA
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