參數(shù)資料
型號(hào)： IDT709289L9PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 64K x 16 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 64K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 10/15頁(yè)
文件大小： 190K
代理商： IDT709289L9PF
6.42
IDT709289L
High-Speed 64K x 16 Synchronous Pipelined Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
10
$+;#))AA+AA)
OE
30
'D
"
!"
$+;#))AA+AA)
OE
)"
!"
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. Output state (High, Low, or High-impedance) is determned by the previous cycle control signals.
3.
CE
0
,
UB
,
LB
, and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
CNTRST
= V
IH
. "NOP" is "No Operation".
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since
ADS
= V
IL
constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for reference use only.
5. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
DATA
IN
Dn + 2
(1)
CE
0
CLK
4842 drw 11
Qn
Qn + 3
DATA
OUT
CE
1
UB
,
LB
t
CD2
t
CKHZ
t
CKLZ
t
CD2
t
SC
t
HC
t
SB
t
HB
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
READ
NOP
READ
t
SD
t
HD
(4)
(2)
(1)
t
SW
t
HW
WRITE
(5)
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
DATA
IN
Dn + 3
Dn + 2
CE
0
CLK
4842 drw 12
DATA
OUT
Qn
t
OHZ
(1)
Qn + 4
CE
1
UB
,
LB
OE
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
t
CKLZ
(1)
t
CD2
t
CD2
t
SD
t
HD
READ
WRITE
READ
t
SC
t
HC
t
SB
t
HB
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
(4)
(2)
t
SW
t
HW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT709289L9PFI HIGH-SPEED 64K x 16 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7099S JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70
IDT7099S15G JFET-Input Operational Amplifier 8-SO 0 to 70
IDT7099S15GB JFET-Input Operational Amplifier 8-SO 0 to 70
IDT7099S15J HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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