參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70914S20JB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 14-SO 0 to 70
中文描述： 4K X 9 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC68
封裝： PLASTIC, LCC-68
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大小： 109K
代理商： IDT70914S20JB
6.42
IDT70914S
High-Speed 36K (4K x 9) Synchronous Dual-Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
7
&'()'(#*#
++=-*"
>.
!"
/0.12 *
/767@4->.
/0.12 *
/<007607"
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
70914S12
Com'l Only
70914S15
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
t
CYC
Clock Cycle Time
16
____
20
____
ns
t
CH
Clock High Time
6
____
6
____
ns
t
CL
Clock Low Time
6
____
6
____
ns
t
CD
Clock High to Output Valid
____
12
____
15
ns
t
S
Registered Signal Set-up Time
4
____
4
____
ns
t
H
Registered Signal Hold Time
1
____
1
____
ns
t
DC
Data Output Hold After Clock High
3
____
3
____
ns
t
CKLZ
Clock High to Output Low-Z
(1,2)
2
____
2
____
ns
t
CKHZ
Clock High to Output High-Z
(1,2)
____
7
____
7
ns
t
OE
Output Enable to Output Valid
____
7
____
8
ns
t
OLZ
Output Enable to Output Low-Z
(1,2)
0
____
0
____
ns
t
OHZ
Output Disable to Output High-Z
(1,2)
____
7
____
7
ns
t
SCK
Clock Enable, Disable Set-up Time
4
____
4
____
ns
t
HCK
Clock Enable, Disable Hold Time
2
____
2
____
ns
Port-to-Port Delay
t
CWDD
Write Port Clock High to Read Data Delay
____
25
____
30
ns
t
CSS
Clock-to-Clock Setup Time
____
13
____
15
ns
3490 tbl 08a
70914S20
Com'l &
Military
70914S25
Military
Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
t
CYC
Clock Cycle Time
20
____
25
____
ns
t
CH
Clock High Time
8
____
10
____
ns
t
CL
Clock Low Time
8
____
10
____
ns
t
CD
Clock High to Output Valid
____
20
____
25
ns
t
S
Registered Signal Set-up Time
5
____
6
____
ns
t
H
Registered Signal Hold Time
1
____
1
____
ns
t
DC
Data Output Hold After Clock High
3
____
3
____
ns
t
CKLZ
Clock High to Output Low-Z
(1,2)
2
____
2
____
ns
t
CKHZ
Clock High to Output High-Z
(1,2)
____
9
____
12
ns
t
OE
Output Enable to Output Valid
____
10
____
12
ns
t
OLZ
Output Enable to Output Low-Z
(1,2)
0
____
0
____
ns
t
OHZ
Output Disable to Output High-Z
(1,2)
____
9
____
11
ns
t
SCK
Clock Enable, Disable Set-up Time
5
____
6
____
ns
t
HCK
Clock Enable, Disable Hold Time
2
____
2
____
ns
Port-to-Port Delay
t
CWDD
Write Port Clock High to Read Data Delay
____
35
____
45
ns
t
CSS
Clock-to-Clock Setup Time
____
15
____
20
ns
3490 tbl 08b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IDT70914S20PF8 功能描述:IC SRAM 36KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70914S25J 功能描述:IC SRAM 36KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70914S25J8 功能描述:IC SRAM 36KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70914S25PF 功能描述:IC SRAM 36KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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