參數(shù)資料
型號(hào)： IDT709089L15PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 85
中文描述： 64K X 8 DUAL-PORT SRAM, 30 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 9/17頁(yè)
文件大?。?/td> 199K
代理商： IDT709089L15PF
6.42
IDT709089S/L
High-Speed 64K x 8 Synchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
$+:.))
!#
t
SC
t
HC
0(B1)
ADDRESS
(B1)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
CLK
3242 drw 09
Q
0
Q
1
Q
3
DATA
OUT(B1)
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
(3)
ADDRESS
(B2)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
0(B2)
DATA
OUT(B2)
Q
2
Q
4
t
CD2
t
CD2
t
CKHZ
t
CD2
t
CKLZ
t
DC
t
CKHZ
t
CD2
t
CKLZ
(3)
(3)
t
SC
t
HC
(3)
t
CKHZ
(3)
t
CKLZ
(3)
t
CD2
A
6
A
6
t
DC
t
SC
t
HC
t
SC
t
HC
$+:.@A$%%)
;!<#
t
SC
t
HC
0(B1)
ADDRESS
(B1)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
CLK
3242 drw 09a
D
0
D
3
t
CD1
t
CKLZ
t
CKHZ
(1)
(1)
D
1
DATA
OUT(B1)
t
CH1
t
CL1
t
CYC1
(1)
ADDRESS
(B2)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
0(B2)
DATA
OUT(B2)
D
2
D
4
t
CD1
t
CD1
t
CKHZ
t
DC
t
CD1
t
CKLZ
t
SC
t
HC
(1)
t
CKHZ
(1)
t
CKLZ
(1)
t
CD1
A
6
A
6
t
DC
t
SC
t
HC
t
SC
t
HC
D
5
t
CD1
t
CKLZ
(1)
t
CKHZ
(1)
NOTES:
1. B1 Represents Bank #1; B2 Represents Bank #2. Each Bank consists of one 709089 for this waveform and are setup for depth expansion in this example.
ADDRESS
(B1)
= ADDRESS
(B2)
in this situation.
2.
OE
and
ADS
= V
IL
; CE
1(B1)
, CE
1(B2)
, R/
W
,
CNTEN
, and
CNTRST
= V
IH
.
3. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
4.
CE
0
and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
CNTRST
= V
IH
.
5.
OE
= V
IL
for the Right Port, which is being read from
OE
= V
IH
for the Left Port, which is being written to.
6. If t
CCS
< maximumspecified, then data fromright port READ is not valid until the maximumspecified for t
CWDD
.
If t
CCS
> maximumspecified, then data fromright port READ is not valid until t
CCS
+ t
CD1
. t
CWDD
does not apply in this case.
7. All timng is the same for both Left and Right ports. Port "A" may be either Left or Right port. Port "B" is the opposite of Port "A".
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT709089L15PFI Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 85
IDT709089 Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-TSSOP 0 to 70
IDT709089L12PF Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-TSSOP 0 to 70
IDT709089L12PFI Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-TSSOP 0 to 70
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參數(shù)描述
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IDT709089L9PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT709089S12PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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