參數(shù)資料
型號： IDT70824L25PFB
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70
中文描述： 高速4K的× 16順序訪問隨機存取存儲器（單存取RAM⑩）
文件頁數(shù)： 4/21頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： IDT70824L25PFB
4
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
&'(
!
) *+,-*./0)12!
##3
)#$24
5/36/3
)#$24
4
*,.478!
##3
#
Symbol
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximumrating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum and is limted to < 20mA for the period of V
TERM>
Vcc + 10%.
NOTES:
1. This is the parameter T
A
.
2. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact
your sales office.
NOTES:
1. V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 10%.
NOTES:
1. This parameter is determned by device characterization, but is not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output
signals switch from0V to 3V or from3V to 0V.
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Mlitary
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
wth Respect
to GND
-0.5 to +7.0
-0.5 to +7.0
V
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
-65 to +135
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-55 to +125
-65 to +150
o
C
I
OUT
DC Output
Current
50
50
mA
3099 tbl 03
Grade
Ambient Temperature
GND
Vcc
Mlitary
-55
O
C to +125
O
C
0V
5.0V
+
10%
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
5.0V
+
10%
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
5.0V
+
10%
3099 tbl 04
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.2
____
6.0
(2)
V
V
IL
Input LowVoltage
-0.5
(1)
____
0.8
V
3099 tbl 05
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
3099 tbl 06
Symbol
Parameter
Test Conditions
70824S
70824L
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V to V
CC
___
5
___
1
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
V
OUT
= 0V to V
CC
___
5
___
1
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= +4mA
___
0.4
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
2.4
___
V
3099 tbl 07
相關PDF資料
PDF描述
IDT70824S High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125
IDT70824L20GI HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L20PFI HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L25GI HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L25PFI HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
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參數(shù)描述
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