- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄353587 > IDT707288L15PF x16 Dual-Port SRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT707288L15PF |
| 英文描述： | x16 Dual-Port SRAM |
| 中文描述： | x16雙端口SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 2/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | IDT707288L15PF |
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
10
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read (OE = VIL)(3)
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read (OE Controlled)(3)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
3.
CE0, UB, LB, and ADS = VIL; CE1, CNTEN, and CNTRST = VIH. "NOP" is "No Operation".
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = VIL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for
reference use only.
5. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
R/W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
DATAIN
Dn + 2
CE0
CLK
4857 drw 10
Qn
Qn + 3
DATAOUT
CE1
UB, LB
tCD2
tCKHZ
tCKLZ
tCD2
tSC
tHC
tSB
tHB
tSW tHW
tSA
tHA
tCH2
tCL2
tCYC2
READ
NOP
READ
tSD tHD
(4)
(2)
(1)
tSW tHW
WRITE
(5)
R/W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
DATAIN
Dn + 3
Dn + 2
CE0
CLK
4857 drw 11
DATAOUT
Qn
Qn + 4
CE1
UB, LB
OE
tCH2
tCL2
tCYC2
tCKLZ(1)
tCD2
tOHZ(1)
tCD2
tSD tHD
READ
WRITE
READ
tSC
tHC
tSB
tHB
tSW tHW
tSA
tHA
(4)
(2)
tSW tHW
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT707288S15PF | x16 Dual-Port SRAM |
| IDT709099L12PF | x8 Dual-Port SRAM |
| IDT709099L7PF | x8 Dual-Port SRAM |
| IDT709099L9PF | x8 Dual-Port SRAM |
| IDT70914S12PF | x9 Dual-Port SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70824L20G | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70824L20PF | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70824L20PF8 | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70824L25G | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70824L25PF | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。