參數(shù)資料
型號: IDT707278S
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 32K x 16 BANK-SWITCHABLE DUAL-PORTED SRAM WITH EXTERNAL BANK SELECTS
中文描述: 高速32K的× 16 BANK-SWITC哈布萊雙端口SRAM與外部銀行選擇
文件頁數(shù): 13/16頁
文件大?。?/td> 135K
代理商: IDT707278S
6.42
IDT707278S/L
32K x 16 Bank-Switchable Dual-Ported SRAM with External Bank Selects Industrial and Commercial Temperature Ranges
13
#,1%()*,# -$2*
"
NOTES:
1.
CE
= V
IH
for the duration of the above timng (both write and read cycle), refer to Truth Table I.
2.
UB
and
LB
are controlled as necessary to enable the desired byte accesses.
#,1C,)$)*2
!"
NOTES:
1.
UB
and
LB
are controlled as necessary to enable the desired byte accesses.
2. Timng for Right Port Write to Left Port Read is identical.
3. Refer to Truth Table I and IV.
BKSEL
0-3
3739 drw 10
t
WC
I/O
0L-15L
ADDRESSES MATCH
R/
W
L
DATA
IN
VALID
DATA
OUT
VALID
Read Cycle
Write Cycle
CE
L
A
0L-12L
and A
0R-12R
CE
R
I/O
0R-15R
R/
W
R
OE
R
t
AW
t
EW
t
WR
t
LZ
t
ACE
t
HZ
t
WP
t
AS
t
DW
t
DH
t
OH
MBSEL
3739 drw 11
t
AW
t
EW
t
MOP
I/O
0-15
VALID ADDRESS
t
MAA
R/
W
t
WR
t
OH
t
ACE
VALID ADDRESS
DATA
IN
VALID
DATA
VALID
t
DW
t
WP
t
DH
t
AS
t
MWRD
t
AOE
Read Cycle
Write Cycle
A
0
-A
5
OE
相關PDF資料
PDF描述
IDT707278S15PF Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70
IDT707278S15PFI Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70
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IDT70824S45PFB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L35GB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT70824L20PF8 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L25G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L25PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ