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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7052L35GB |
| 英文描述： | Quad-Port SRAM |
| 中文描述： | 四端口SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 14/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | IDT7052L35GB |
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
8
Timing Waveform of Read Cycle for Flow-Through Output
(FT/PIPE"X" = VIL)(3,7)
Timing Waveform of Read Cycle for Pipelined Operation
(FT/PIPE"X" = VIH)(3,7)
An
An + 1
An + 2
An + 3
tCYC1
tCH1
tCL1
R/W
ADDRESS
DATAOUT
CE0
CLK
OE
tSC
tHC
tCD1
tCKLZ
Qn
Qn + 1
Qn + 2
tOHZ
tOLZ
tOE
tCKHZ
4857 drw 06
(1)
(2)
CE1
UB, LB
(4)
tSB
tHB
tSW
tHW
tSA
tHA
tDC
(5)
tSC
tHC
tSB
tHB
An
An + 1
An + 2
An + 3
tCYC2
tCH2
tCL2
R/W
ADDRESS
CE0
CLK
CE1
UB, LB
(4)
DATAOUT
OE
tCD2
tCKLZ
Qn
Qn + 1
Qn + 2
tOHZ
tOLZ
tOE
4857 drw 07
(1)
(2)
tSC
tHC
tSB
tHB
tSW
tHW
tSA
tHA
tDC
tSC
tHC
tSB
tHB
(5)
(1 Latency)
(6)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2.
OE is asynchronously controlled; all other inputs are synchronous to the rising clock edge.
3.
ADS = VIL, CNTEN and CNTRST = VIH.
4. The output is disabled (High-Impedance state) by
CE0 = VIH, CE1 = VIL, UB = VIH, or LB = VIH following the next rising edge of the clock. Refer to Truth Table 1.
5. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = VIL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers
are for reference use only.
6. If
UB or LB was HIGH, then the Upper Byte and/or Lower Byte of DATAOUT for Qn + 2 would be disabled (High-Impedance state).
7. "X' here denotes Left or Right port. The diagram is with respect to that port.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7052L35PF | Quad-Port SRAM |
| IDT7052L45G | Quad-Port SRAM |
| IDT7052L45GB | Quad-Port SRAM |
| IDT7052L45PF | Quad-Port SRAM |
| IDT7052L45PQF | Quad-Port SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7052L35PF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 120TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT7052L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 120TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT7052L35PQF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 132QFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT7052S20G | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 108PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7052S20PF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 120TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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