• <big id="9kwqe"><legend id="9kwqe"><code id="9kwqe"></code></legend></big>
    參數(shù)資料
    型號(hào)： IDT7024L15FB
    廠商： Integrated Device Technology, Inc.
    英文描述： HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
    中文描述： 高速4K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM
    文件頁(yè)數(shù)： 6/20頁(yè)
    文件大小： 292K
    代理商： IDT7024L15FB
    6.15
    6
    IDT7024S/L
    HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
    DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
    OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
    (1)
    (Cont.)
    (V
    CC
    = 5.0V
    ±
    10%)
    MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
    7024X35
    7024X55
    7024X70
    Mil. Only
    Test
    Symbol
    I
    CC
    Parameter
    Condition
    Version
    MIL.
    Typ.
    (2)
    150
    150
    150
    150
    13
    13
    13
    13
    85
    85
    85
    85
    1.0
    0.2
    1.0
    0.2
    Max.
    300
    250
    250
    210
    80
    65
    60
    50
    190
    160
    155
    130
    30
    10
    15
    5
    Typ.
    (2)
    150
    150
    150
    150
    13
    13
    13
    13
    85
    85
    85
    85
    1.0
    0.2
    1.0
    0.2
    Max. Typ.
    (2)
    300
    250
    250
    210
    80
    65
    60
    50
    190
    160
    155
    130
    30
    10
    15
    5
    Max. Unit
    300
    250
    —
    —
    80
    65
    —
    —
    190
    160
    —
    —
    30
    10
    —
    —
    Dynamic Operating
    Current
    (Both Ports Active)
    CE
    = V
    IL
    , Outputs Open
    SEM
    = V
    IH
    f = f
    MAX(3)
    S
    L
    S
    L
    S
    L
    S
    L
    S
    L
    S
    L
    S
    L
    S
    L
    140
    140
    —
    —
    10
    10
    —
    —
    80
    80
    —
    —
    1.0
    0.2
    —
    —
    mA
    COM’L.
    I
    SB1
    Standby Current
    (Both Ports — TTL
    Level Inputs)
    CE
    L
    =
    CE
    R
    = V
    IH
    SEM
    R
    =
    SEM
    L
    = V
    IH
    f = f
    MAX(3)
    MIL.
    mA
    COM’L.
    I
    SB2
    Standby Current
    (One Port — TTL
    Level Inputs)
    CE
    "A"
    =V
    IL and
    CE
    "B"
    =V
    IH(5)
    Active Port Outputs Open
    f = f
    MAX(3)
    SEM
    R
    =
    SEM
    L
    = V
    IH
    Both Ports
    CE
    L
    and
    CE
    R
    > V
    CC
    - 0.2V
    V
    IN
    > V
    CC
    - 0.2V or
    V
    IN
    < 0.2V, f = 0
    (4)
    SEM
    R
    =
    SEM
    L
    > V
    CC
    - 0.2V
    CE
    "A"
    < 0.2 and
    CE
    "B"
    > V
    CC
    - 0.2V
    (5)
    SEM
    R
    =
    SEM
    L
    > V
    CC
    - 0.2V
    V
    IN
    > V
    CC
    - 0.2V or
    V
    IN
    < 0.2V,
    Active Port Outputs Open,
    f = f
    MAX(3)
    MIL.
    mA
    COM’L.
    I
    SB3
    Full Standby Current
    (Both Ports — All
    CMOS Level Inputs)
    MIL.
    mA
    COM’L.
    I
    SB4
    Full Standby Current
    (One Port — All
    CMOS Level Inputs)
    MIL.
    S
    L
    80
    80
    175
    150
    80
    80
    175
    150
    75
    75
    175
    150
    mA
    COM’L.
    S
    L
    80
    80
    135
    110
    80
    80
    135
    110
    —
    —
    —
    —
    NOTES:
    1. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
    2. V
    CC
    = 5V, T
    A
    = +25
    °
    C, and are not production tested. I
    CCDC
    = 120
    mA
    (typ.)
    3. At f = f
    MAX
    ,
    address and I/O'
    S
    are cycling at the maximum frequency read cycleof 1/tRC, and using “AC Test Conditions”of input levels of GND to 3V.
    4. f = 0 means no address or control lines change.
    5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
    2740 tbl 10
    DATA RETENTION CHARACTERISTICS OVER ALL TEMPERATURE RANGES (L Version Only)
    (V
    LC
    = 0.2V, V
    HC
    = V
    CC
    - 0.2V)
    (4)
    Symbol
    Parameter
    Test Condition
    Min.
    Typ.
    (1)
    Max.
    Unit
    V
    DR
    I
    CCDR
    V
    CC
    for Data Retention
    Data Retention Current
    V
    CC
    = 2V
    CE
    > V
    HC
    V
    IN
    > V
    HC
    or < V
    LC
    SEM
    > V
    HC
    2.0
    —
    —
    0
    t
    RC(2)
    —
    100
    100
    —
    —
    —
    V
    μ
    A
    MIL.
    COM’L.
    4000
    1500
    —
    —
    t
    CDR(3)
    t
    R(3)
    Chip Deselect to Data Retention Time
    Operation Recovery Time
    ns
    ns
    NOTES:
    1. T
    A
    = +25
    °
    C, V
    CC
    = 2V, and are by characterization but are not production tested.
    2. t
    RC
    = Read Cycle Time
    3. This parameter is guaranteed by device characterization but are not production tested.
    4
    .
    At Vcc < 2.0V, input leakages are not defined.
    DATA RETENTION WAVEFORM
    2740 tbl 11
    DATA RETENTION MODE
    V
    CC
    CE
    2740 drw 05
    4.5V
    t
    CDR
    t
    R
    V
    IH
    V
    DR
    V
    IH
    4.5V
    V
    DR
    2V
    ≥
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    IDT7024L Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
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    IDT7024L15G Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85
    IDT7024L15GB Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85
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    IDT7024L15J8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
    IDT7024L15JG 功能描述:IC SRAM 64KBIT 15NS 84PLCC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
    IDT7024L15JG8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 15NS 84PLCC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
    IDT7024L15PF 功能描述:IC SRAM 64KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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