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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT7009 |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速128K的× 8雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/17頁(yè) |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | IDT7009 |
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6.42
IDT7009L
High-Speed 128K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
4839 drw 11
t
DW
t
APS
ADDR
"A"
t
WC
DATA
OUT "B"
MATCH
t
WP
R/
W
"A"
DATA
IN "A"
ADDR
"B"
t
DH
VALID
(1)
MATCH
BUSY
"B"
t
BDA
VALID
t
BDD
t
DDD
(3)
t
WDD
$;<;A59922
BUSY
*:
S
%4
6+
#
!C!'#
$;<;A5
BUSY
*:
S
%4
6D
#
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t
APS
is ignored for M/
S
= V
IL
(SLAVE).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL,
refer to Chip Enable Truth Table.
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. If M/
S
= V
IL
(SLAVE),
BUSY
is an input. Then for this example
BUSY
"A" = V
IH
and
BUSY
"B" input is shown above.
5. All timng is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite fromport "A".
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (SLAVE) and output (MASTER).
2.
BUSY
is asserted on port "B" blocking R/W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes HIGH.
3. t
WB
is only for the 'Slave' version.
4839 drw 12
R/
W
"A"
BUSY
"B"
t
WP
t
WB
(3)
R/
W
"B"
t
WH
(1)
(2)
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IDT7009L15PFG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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| IDT7009L15PFI | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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