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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT7008S35PFB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 64K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | IDT7008S35PFB |
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8
IDT7008S/L
High-Speed 64K x 8 Dual-Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
$*@*
.8+,7
2
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
OE
or
CE
.
2. Timng depends on which signal is de-asserted first
CE
or
OE
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timng becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
6. Refer to Chip Enable Truth Table.
$,
Figure 2. Output Test Load
(for t
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*Including scope and jig.
Figure 1. AC Output Test Load
3198 drw 06
893
30pF
347
5V
DATA
OUT
BUSY
INT
893
5pF*
347
5V
DATA
OUT
3198 drw 05
t
RC
R/
W
CE
(6)
ADDR
t
AA
t
ACE
OE
3198 drw 07
(4)
(4)
t
AOE
(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3,4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
CE
3198 drw 08
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
(6)
,
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
3198 tbl 11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7008S35PFI | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7008S55G | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7008S55GB | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7008S55GI | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7008S55J | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7008S35PFI | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7008S55G | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7008S55GB | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7008S55GI | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7008S55J | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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