- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377252 > IDT7006L55FB (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) Adjustable, 1.6MHz Boost Regulator with 30V Integrated FET Switch; Package: SOT-23; No of Pins: 5; Container: Tape & Reel PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT7006L55FB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Adjustable, 1.6MHz Boost Regulator with 30V Integrated FET Switch; Package: SOT-23; No of Pins: 5; Container: Tape & Reel |
| 中文描述： | 16K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQFP68 |
| 封裝： | 0.970 X 0.970 INCH, 0.080 INCH HEIGHT, QFP-68 |
| 文件頁數(shù)： | 8/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 263K |
| 代理商： | IDT7006L55FB |
6.07
8
IDT7006S/L
HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
TIMING OF POWER-UP POWER-DOWN
WAVEFORM OF READ CYCLES
(5)
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last,
OE
or
CE
.
2. Timing depends on which signal is de-asserted first,
CE
or
OE
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
CE
2739 drw 08
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
t
RC
R/
W
CE
ADDRESS
t
AA
t
ACE(4)
OE
2739 drw 07
(4)
t
AOE(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3, 4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7006L55G | HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7006L55GB | HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7006L55J | HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7006L55PF | HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7006L55PFB | 800mA 3MHz Digitally Programmable DC/DC converter; Package: MLP; No of Pins: 10; Container: Tape & Reel |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7006L55G | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IdT7006L55GB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA |
| IDT7006L55J | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT7006L55J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT7006L55JB | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。