參數(shù)資料
型號： IDT6116SA35P
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Enhanced-JFET Low-Power Low-Offset Quad Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 85
中文描述： 2K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP24
封裝： 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： IDT6116SA35P
5.1
7
IDT6116SA/LA
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8-BIT)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 2
(1, 2, 4)
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 1
(1, 3)
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 3
(1, 3, 4)
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read cycle.
2. Device is continously selected,
CS
is LOW.
3. Address valid prior to or coincident with
CS
transition LOW.
4.
OE
is LOW.
5. Transition is measured
±
500mV from steady state.
CS
t
ACS
DATA
OUT
t
CLZ(5)
t
CHZ(5)
DATA VALID
3089 drw 08
ADDRESS
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
DATA
OUT
3089 drw 07
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
ADDRESS
OE
CS
t
RC
t
AA
t
OE
t
ACS
t
CLZ(5)
DATA
OUT
t
OH
t
OLZ(5)
t
OHZ(5)
t
CHZ(5)
3089 drw 06
DATA
VALID
t
PD
I
CC
I
SB
t
PU
V
CC
Supply
Currents
相關PDF資料
PDF描述
IDT6116SA35PB Enhanced-JFET Low-Power Low-Offset Quad Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 85
IDT6116SA35SO Enhanced-JFET Low-Power Low-Offset Quad Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 85
IDT6116SA35TD Enhanced-JFET Low-Power Low-Offset Quad Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 85
IDT6116SA35TP Enhanced-JFET Low-Power Low-Offset Quad Operational Amplifier 14-PDIP -40 to 85
IDT6116SA35TPB Enhanced-JFET Low-Power Low-Offset Quad Operational Amplifier 14-PDIP -40 to 85
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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