參數(shù)資料
型號(hào)： IDT6116SA25L28BG8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 2K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, CQCC28
封裝： LCC-28
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 301K
代理商： IDT6116SA25L28BG8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT61298SA25TCB 64K X 4 STANDARD SRAM, 25 ns, CDIP28
IDT7005L55FB Single, Ultra Low Cost, RRIO CMOS Amplifier
IDT7005L55G Single, Ultra Low Cost, RRIO CMOS Amplifier; Package: SOT-23; No of Pins: 5; Container: Tape & Reel
IDT7005L55GB Single, Ultra Low Cost, RRIO CMOS Amplifier
IDT7005L55J Dual, Ultra Low Cost, RRIO CMOS Amplifier; Package: MSOP; No of Pins: 8; Container: Tape & Reel
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT6116SA25P 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:
IDT6116SA25PB 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA25PI 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA25SO 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT6116SA25SO8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*